​​바카라 사이트気工業株式会社 바카라 사이트気工業株式会社 (本社 ： ： 大阪市中央区、社長 ： 井上 治、以下 治、以下 当社 ： は、さらなる大容量・高速通信を実現する は、さらなる大容量・高速通信を実現する は、さらなる大容量・高速通信を実現する は、さらなる大容量・高速通信を実現する ポスト ポスト 5g”を見据え、 gan gan 結晶に n 極性を、そしてゲート絶縁膜に世界初のハフニウム 極性を、そしてゲート絶縁膜に世界初のハフニウム 極性を、そしてゲート絶縁膜に世界初のハフニウム 系の高耐熱高誘電材料を適用した窒化ガリウムトランジスタ 系の高耐熱高誘電材料を適用した窒化ガリウムトランジスタ 系の高耐熱高誘電材料を適用した窒化ガリウムトランジスタ 系の高耐熱高誘電材料を適用した窒化ガリウムトランジスタ 系の高耐熱高誘電材料を適用した窒化ガリウムトランジスタ 系の高耐熱高誘電材料を適用した窒化ガリウムトランジスタ (以下、 gan-hemt ＊ ¹)

Gan-Hemt は、 5g に代表される高周波増幅器用途に広く用いられています。将来の“ポスト 5g”においては、データ伝送量を増やすために、通信機器内で使われるトランジスタには高出力化・高周波化に対応することが求められています。

従来、 gan 結晶には ga ga 極性 (面方位 0001) が広く用いられてきましたが、さらなる高出力化・高周波化を目指すにあたり、素子設計の自由度が高まり、かつ漏れ電流が抑制可能な逆 Hemt 構造を実現する n 極性 (面方位 000-1) (ga 極性とは結晶方向が異なる) による特性改善が注目されています による特性改善が注目されています による特性改善が注目されています (図１ 図１) 。一方で n 極性の結晶はヒロックと呼ばれる異常成長部による凹凸が発生しやすいという課題があります。また素子設計においても、逆 hemt 構造の実現には従来の半導体バリア層に代わりゲート電極に対してバリアとなる良質なゲート絶縁膜の開発という課題がありました。

そこで当社は長年の結晶成長技術を活かし、ヒロックの無い高品質な n 極性の結晶を実現すると 쿨 (図 2) 、課題であったゲート絶縁膜に最先端の si トランジスタで用いられるハフニウム トランジスタで用いられるハフニウム (hf) 系の高耐熱高誘電材料の一種を世界で初めて適用することで、高誘電材料を用いたｎ極性結晶のトランジスタを完成させ、良好な高周波特性を実現しました 系の高耐熱高誘電材料の一種を世界で初めて適用することで、高誘電材料を用いたｎ極性結晶のトランジスタを完成させ、良好な高周波特性を実現しました −。

なお、本成果は国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 − (nedo ← 뇨 뇨 뇨 뇨 위치) の委託事業「ポスト 5g 바카라 사이트基盤強化研究開発事業*² 」の結果によるものであり、詳細は米国フエニックス市で開催される bcicts (2022 IEEE BICMOS 및 복합 반도체 통합 회로 및 기술 심포지엄) にて、 2022 年 10 1 17 ay (現地時間) に発表されます。

高周波特性・低消費電力に優れる gan-hemt は“ポスト 5g”の実現には不可欠となるため、特性の更なる改善が期待されており、今回開発した新しい gan-hemt は特性改善に大きく貢献していきます。当社はこれからも技術開発を進め、高周波通信のさらなる高度化や社会の省エネルギー化、脱炭素化に貢献していきます。

*¹ GAN-HEMT ： 「HEMT 」は「 High Electron MobilityTransistor 높음 높이 높습니다 当社は長年に渡る「 当社は長年に渡る「 HEMT 」の技術をベースに、より優れた材料物性を持つ窒化ガリウム 」の技術をベースに、より優れた材料物性を持つ窒化ガリウム (gan 찾고 gan-hemt 」を世界に先駆けて製品化し、 gan-hemt

*² ポスト 5g 바카라 사이트基盤強化研究開発事業 ：
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＜ご参考＞